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分子束外延

分子束外延(MBE)是当今世界最重要的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体晶体外延生长工艺之一。
它是在适当的衬底与合适的条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。

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  • 参考文献
    MBE 中使用到的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点,而PBN材料可以完全满足以上要求,MBE过程中用作装蒸发元素和化合物的最佳容器。博宇紧跟该项技术的发展,设计研发MBE系列坩埚可以与国际主流MBE设备进行配套使用。
            
                 锥形坩埚                                            Sumo坩埚                                   双层坩埚