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LEC坩埚
一．产品概述
LEC法是用液态覆盖剂封闭熔体控制挥发组分实现半导体晶体生长的方法。
LEC坩埚主要作为液封直拉法（LEC）技术生长单晶中的生长容器。
LEC法是用液态覆盖剂封闭熔体控制挥发组分实现半导体晶体生长的方法。
LEC坩埚主要作为液封直拉法（LEC）技术生长单晶中的生长容器。
二．产品特点
纯度高达99.999%
与熔融金属不润湿纯度高达99.999%
热导率可控，有效提高成晶率
优异的抗热震性
易清洗，可重复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应
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Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness BL-3 LEC 3" 3" 0.03" BL-4 LEC 4" 4" 0.035" BL-5 LEC 5" 5" 0.035" BL-6 LEC 6" 6" 0.04" BL-7 LEC 7" 7" 0.04" BL-8 LEC 8" 8" 0.04" BL-14 LEC 14" 14" 0.08" *此表为典型坩埚规格，如需其他规格尺寸，可以定制
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PBN性能参数表
Properties Units Values Density g/cm3 2.00-2.20 Tensile Strength MPa 58 Bending Strength MPa 101 Compression Strength MPa 244 Young's Modulus GPa 25 Poisson Ratio 0.25 Thermal Conductivity W/m°C "a" 92.1 "c" 2 Specific Heat J/g·℃ 0.96（RT） Resistivity Ω.cm "a"5×108, "c"5×1010 Dielectric Strength D.C. volts/mm 2x105 Dielectric Constant "c" 3.07 Metal Impurity Content ppm <10
