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                                    VGF坩埚

       一.产品概述
             
VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
              VGF坩埚为垂直梯度凝固法(VGF)生长化合物单晶的容器。
       二.产品特点
               
纯度高达99.999%
               与熔融金属不润湿
               热导率可控,有效提高成晶率
               优异的抗热震性
               易清洗,可重复使用
               化学惰性,在高温下与酸、碱不发生化学反应
            
               
  • 规格说明
  • 性能参数
  • 产品应用
  • 文档下载
  • Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness
    BV-2 VGF 2" 10" 0.035"
    BV-3 VGF 3" 10" 0.035"
    BV-4 VGF 4" 8" 0.035"
    BV-5 VGF 5" 8" 0.04"
    BV-6 VGF 6" 7" 0.04"
    BV-8 VGF 8" 20" 0.08"
             

               *此表为典型坩埚规格,如需其他规格尺寸,可以定制

  •   PBN性能参数表

     

    Properties Units Values
    Density g/cm3 1.95-2.20
    Tensile Strength MPa 112
    Bending Strength MPa 173
    Compression Strength MPa 154
    Young's Modulus GPa 18
    Thermal Conductivity W/m°C "a" 60     "c" 2
    Specific Heat J/g·℃ 0.90RT
    Resistivity Ω.cm 2×1015
    Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015
    Dielectric Constant   "c" 3.07
    Metal Impurity Content ppm <10