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VGF坩埚
一．产品概述
VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
VGF坩埚为垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。
二．产品特点
纯度高达99.999%
与熔融金属不润湿
热导率可控，有效提高成晶率
优异的抗热震性
易清洗，可重复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应
VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
VGF坩埚为垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。
二．产品特点
纯度高达99.999%
与熔融金属不润湿
热导率可控，有效提高成晶率
优异的抗热震性
易清洗，可重复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应
- 规格说明
- 性能参数
- 产品应用
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Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness BV-2 VGF 2" 10" 0.035" BV-3 VGF 3" 10" 0.035" BV-4 VGF 4" 8" 0.035" BV-5 VGF 5" 8" 0.04" BV-6 VGF 6" 7" 0.04" BV-8 VGF 8" 20" 0.08" *此表为典型坩埚规格，如需其他规格尺寸，可以定制
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PBN性能参数表
Properties Units Values Density g/cm3 1.95-2.20 Tensile Strength MPa 112 Bending Strength MPa 173 Compression Strength MPa 154 Young's Modulus GPa 18 Thermal Conductivity W/m°C "a" 60 "c" 2 Specific Heat J/g·℃ 0.90（RT） Resistivity Ω.cm 2×1015 Dielectric Strength D.C. volts/mm 2×1015 Dielectric Constant "c" 3.07 Metal Impurity Content ppm <10
